【基础】二极管/三极管/MOS 管判断与代换原则

手机维修也离不开这些"老三样"，充电链路、背光电路全是它们。一次讲清判断和代换。

**二极管**
- 数字万用表二极管档：硅管正向 0.5~0.7V，肖特基 0.2~0.4V，反向无穷大
- 反向有读数 = 漏电；双向都通 = 击穿
- **板上有并联元件时必须拆下单测**，不然全是假象

**三极管**
- 表上找 b 极：红/黑表笔对另外两脚都通的脚就是 b
- NPN/PNP 与放大倍数（hFE 档）判断；板上实测多为"be 击穿、ce 漏电"两种死法
- 小信号管（S8050/9013）高频坏法是 be 结开路，量出来 be、bc、ce 全不通别扔板，先换管

**MOS 管**
- 三个关键：G 栅极几乎不耗电（坏了多是 G-S 击穿）、D-S 体二极管方向、**低内阻表笔测量本身有阻值贡献**
- **N-MOS 好坏速判**：G 悬空时 D-S 因体二极管单向导通；G-S 加 5V 后 D-S 双向应导通（低阻）；撤电压仍导通 = 栅极损坏（电荷保持）
- 代换三看：**Vds 耐压 ≥ 原管、Id 电流 ≥ 原管、Rds(on) 尽量小**，封装相同
- 防静电：MOS 怕静电，焊接先摸接地金属，批量操作戴腕带

**代换总原则**：耐压只高不低、电流只大不小、频率特性不降级。贪便宜用低规格管，返修率翻倍，口碑赔光。